छोटे स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप आयन स्पटरिंग डिवाइस लक्ष्य के लिए Au Ag Cu Al

संकल्प: 0.9nm@30KV (SE) 3nm@1kV(SE)

बढ़ाई: 1X ~ 3000000X

नमूना चरण: फाइव एक्सिस यूसेंट्रिक मोटराइज्ड स्टेज

अधिकतम नमूना व्यास: 320 मिमी

संकल्प: SE：3nm@30KV，8nm@3kV； BSE :4nm@30KV

बढ़ाई: 1x-450000x

नमूना चरण: पांच अक्ष चरण

इलेक्ट्रॉन गन: पूर्व-संरेखित टंगस्टन फिलामेंट

संकल्प: एसई 1.5एनएम@15केवी बीएसई 3एनएम@30केवी

बढ़ाई: 1x-600000x

त्वरित वोल्टेज: 0.2kV-30kV

अधिकतम नमूना व्यास: 175 मिमी

अग्निकरण: 1x-3000000x

संकल्प: 0.8nm@15kV，1.5nm@1kV

त्वरित वोल्टेज: 0.2kV-30kV

अधिकतम नमूना: 320 मिमी